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士兰微电子本次携带新能源汽车成功参展 AUTO TECH 2024 华南展
【 】   栏目:    发表时间:2024-06-12  
摘要: 随着中国新能源汽车行业迅速发展,2023年全国狭义新能源乘用车销量已达775万台,占全国狭义乘用车约36%,而预计到2025年,新能源汽车渗透率或将接近50%。而伴随新能源汽车市场的迅速增长,高可靠性、高智能化要求成为新能源汽车的发展方向,带来车载芯片的功率密度、可靠性要求增加。 针对新能源汽车充电…

随着中国新能源汽车行业迅速发展,2023年全国狭义新能源乘用车销量已达775万台,占全国狭义乘用车约36%,而预计到2025年,新能源汽车渗透率或将接近50%。而伴随新能源汽车市场的迅速增长,高可靠性、高智能化要求成为新能源汽车的发展方向,带来车载芯片的功率密度、可靠性要求增加。


针对新能源汽车充电需求,士兰推出适用于不同功率段的最新一代IGBT、SJ MOS、SiC MOS等功率器件以满足3.3kW至22kW功率段的车载充电机(OBC)需求,提供高效、安全的一站式OBC功率器件解决方案。


针对车身要求增加现状,士兰自主研发40V-150V不同功率段MOSFET,根据应用需求,不断更新产品封装形式、迭代功率等级,应用于车身电子、EPS及泵类等多块细分区域,达到国产替代需求。


作为国内规模最大的集成电路芯片设计与制造一体(IDM)的企业之一,士兰微电子本次携带新能源汽车-汽车主/辅驱功率模块、车规级功率器件、BUCK转换器、车载空调智能功率模块等产品,参加5月15-17日在广州保利世贸博览馆举办的AUTO THCH 2024广州国际汽车技术展览会,展位号A117

新能源汽车主驱

Silan B7 Pro单并模块

SGM480SS8B7TFM

SGM480SS8B7TFM单并模块是士兰微电子基于FS5++工艺自主研发的,单并即可实现120kW功率范围的出流能力,其峰值电流能力可达350ARMS,具有高电流密度、高短路能力和高阻断电压等级,为严苛环境条件下的逆变器运行,提供更可靠的保障。


应用:混动汽车等应用领域

功能特点:

1. VCES 750V

2. Ic nom ≥480A

3. Tjop max 175℃

4. 低 VCE(sat)同时具备正温度系数

5. 低开关损耗

6. 封装形式: Silan B7封装

7. DBC衬底可替换

8. 小体积高效率高性能

9. 低成本的器件方案


黑金刚IGBT功率模块

SGM1000PB8F1TFM_3

黑金刚模块建立在成熟的F1系列封装上,是士兰微电子基于FS5++工艺自主研发的并进行了系统优化,可实现更优的性能,具有更高的高电流密度、高短路能力和高阻断电压等级,为更为严苛环境条件下的逆变器运行,提供更可靠的保障。


应用:纯电动汽车等应用领域

功能特点:

  1. VCES 750V
  2. Tjop max 175℃
  3. 低 VCE(sat)同时具备正温度系数
  4. 低开关损耗
  5. 低 Qg 和 Cres
  6. 采用AMB工艺
  7. 高性能PPS外壳
  8. IGBT集成片上温度检测功能
  9. 超声焊信号端子


B3D模块

SSM1R7PB12B3DTFM

SSM1R7PB12B3DTFM是士兰微电子基于自主研发的SiC MOS 芯片技术开发的六单元拓扑模块,具有高电流密度、高短路能力和高阻断电压等级,为严苛环境条件下的逆变器运行,提供更可靠的保障。


应用:纯电动汽车等应用领域

功能特点:

1. VDSS 1200V

2. Tjop max 175℃

3. 低 Rdson,1.7mΩ 典型值

4. 低开关损耗

5. 低 Qg 和 Crss

6. Si3N4 陶瓷基板

7. 芯片纳米银烧结

8. 低杂感

9. 每相内置 NTC

10. 直接水冷基板,低热阻

车规分立器件


IGBT

Silan分立器件


应用:OBC、光伏、充电桩等

特点:

1.采用第五代场截止工艺制作

2.低导通损耗

3.快开关速度

推荐型号:

高压MOSFET

Silan分立器件


应用:OBC、充电桩等

特点:

1. 士兰自研超结MOS、SiC MOS

2. 低导通损耗、开关损耗

3. 高功率密度

低压MOSFET

Silan分立器件


应用:车身域、EPS、泵类等

特点:

1. 士兰LV MOS工艺制造

2. 40V-150V不同电压等级及功率等级

3. 封装覆盖范围广

4. 较低的导通损耗和优越的开关性能

车规芯片

汽车级H桥栅极驱动芯片

SQ9702/3


应用:

1. 车身电机:天窗、车窗、尾门、座椅等

2. 电子驻车

3. 其他有刷电机

4. 高边或低边独立预驱的应用

产品特点:

1. 宽输入电压:5.5V~45V

2. 单通道 H 桥栅极驱动,支持100%PWM占空比

3. 三种控制接口:PH/EN、独立H桥和PWM

4. 用于配置的串行接口(SQ9703)

5. 智能栅极驱动,可调压摆率,优化EMI

6. 支持1.8V、3.3V和5V逻辑输入

7. 集成1路电流分流放大器

8. 集成PWM电流调节

9. 低功耗睡眠模式

10. 内置诊断:电源欠压(UVLO)、电荷泵欠压(CPUV)、过流保护(OCP)、栅极驱动故障(GDF)、过温警告(OTW、热关断(TSD)等

11. AEC-Q100,Grade 1

单通道隔离栅极驱动器

SQH2150

SQH2150是一款高压隔离栅极驱动器,具有15A/15A的拉/灌电流峰值能力;适用于基于IGBT/SiC器件的混合驱动芯片。


应用:SiC/IGBT混合驱动

特点:

1. SQH2150提供5KVrms电气隔离和100V/ns抗扰度能力,CMTI≥100V/ns

2. 15A/15A最大拉/灌电流能力

3. SOIC-28


车规级降压型DC-DC转换器

SKQ3430/20

SKQ3430/20是一款车规级BUCK转换器,具有3.0V-40V宽输入电压范围,2A/3A负载电流能力,极轻载效率>91.6% @1mA,空载待机电流<5uA。具有高效率、低功耗等技术优势。


应用:T-BOX、车载娱乐系统、ADAS、车身电子等

特点:

1. 宽输入电压范围:3.0V-40V

2. 输出电流:2A/3A

3. 超低静态电流:5uA @empty load

4. 开关频率:400KHz/1.4MHz/2.1MHz

5. 峰值效率:>96%

6. AEC-Q100

7. 紧凑型封装:QFN12(2*3)

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